圆周 shutter 渐变刻蚀

工艺

刻蚀速率完全暴露时的硅刻蚀速率 nm/min 下端目标厚度先暴露，默认较深 nm 上端目标厚度后暴露，默认较浅 nm

硅光栅长度沿晶圆竖直方向 mm shutter 半径 R有效边界到转轴的投影半径 mm 中心位置相对拐点。拐点固定在 y = 0，放在这里最接近直线 mm

旋转终止角度设备角。40° 时前沿正在拐点 y = 0 ° 角速度恒定转速。越快，厚度整体越薄 °/s

按钮同时改恒定转速和停止角度。中心离开 0 以后，圆弧投影仍会让中间略弯。

yb(θ) = R sin(θ − 40°)
H(y) = ER · (θe − 40° − arcsin(y/R)) / (60 ω)

播放或拖动时，颜色是前沿走到这个角度时已经刻到的深度。线以上还被挡住。表格仍是停在终止角的最终厚度。

实际理想直线尚未暴露

示意图角度

滑块和播放只演示打开过程，不改配方。小图是整片 8 英寸晶圆，铜线是当前前沿，左侧黑点是转轴。

实际厚度减去理想厚度。正值是偏厚，负值是偏薄。默认参数下这个差只有百分之几纳米，所以主图上两条线几乎叠在一起。

从下端到上端，含两端，均匀取 15 点。

#	y mm	自下而上	理想 nm	实际 nm	偏差 nm	暴露 s	开始角 °